Нанотехнологии в электронике, Чаплыгин Ю.А., 2013

Нанотехнологии в электронике, Чаплыгин Ю.А., 2013.

Настоящее издание - второй выпуск книги «Нанотехнологии в электронике», вышедшей несколько лет назад. Каждую из частей книги представляет группа авторов, активно развивающих данное направление в Национальном исследовательском университете «МИЭТ».
Коллектив авторов старался осуществить частичную преемственность материала, содержащегося в первом выпуске, однако структура книги существенно изменилась: группировка статей по условным разделам (теоретико-экспериментальные работы, методы исследований, технологии, приборы и устройства) представляется более правильной с точки зрения понимания общего направления работ в МИЭТ.
Каждая из работ представляет собой законченный научный труд обзорного или обобщающего характера, либо является частью оригинальных исследований, полученных в последние 3-5 лет.
Книга представляет интерес для специалистов, аспирантов и студентов, работающих в области нанотехнологии и смежных областях.



РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ: ФИЗИКА И ПРИБОРНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ.

Полупроводниковые резонансно-туннельные гетероструктуры относятся к числу наиболее изученных объектов, получаемых методами инженерии зонной структуры и волновых функций на базе эпитаксиальных технологий. Данные структуры представляют значительный интерес как с точки зрения исследования фундаментальных квантово-механических процессов, так и с точки зрения использования их для создания новых типов полупроводниковых приборов [1, 2, 3]. Простейший пример резонансно-туннельной гетероструктуры — два потенциальных барьера с квантовой ямой между ними. Резонанс возникает при совпадении энергии налетающего на такую структуру электрона с энергией квазистационарного состояния в квантовой яме между барьерами. Резонансно-туннельная гетероструктура с присоединенными электродами анода и катода становится резонансно-туннельным диодом (РТД). РТД — электронный аналог оптического интерферометра Фабри-Перо. РТД обладает исключительно высоким быстродействием, сравнимым с быстродействием сверхпроводниковых приборов на основе эффекта Джозефсона, и существенно нелинейной N-образной вольт-амперной характеристикой, обеспечивающей возможность разнообразных функциональных применений РТД в цифровых и аналоговых приборах и устройствах.


Содержание.

Глава 1. Резонансно-туннельные гетероструктуры: физика и приборные применения.
Глава 2. Электрофизические характеристики неоднородных диэлектриков микро- и наноэлектроники.
Глава 3. Моделирование элементов интегральной наноэлектроники.
Глава 4. Размерный эффект плавления в пленочных структурах наноэлектроники.
Глава 5. Исследование наноразмерных областей методами просвечивающей электронной микроскопии.
Глава 6. Рентгеновские методы исследования наноструктур и нанообъектов электроники.
Глава 7. Наноструктуры на основе метода локального зондового окисления.
Глава 8. Плазменные методы создания наноструктур.
Глава 9. Наноструктурированные оксиды металлов в технологии устройств функциональной электроники.
Глава 10. Функциональные некристаллические покрытия для микро- и наноэлектроники.
Глава 11. Лазерный метод создания биосовместимых композиционных наноматериалов с углеродными нанотрубками.
Глава 12. Микро- и наноэлектромеханические системы и устройства.
Глава 13. Элементы наноэлектроники на основе высокотемпературного сверхпроводника состава (Bi, Pb)2Sr2Ca2Cu3O10.
Глава 14. Магниторезистивные структуры в устройствах наноэлектроники и микросистемной техники.
Глава 15. Кремниевые биполярные гетероструктуры и проектирование СВЧ интегральных схем на их основе.




Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Нанотехнологии в электронике, Чаплыгин Ю.А., 2013 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - pdf - Яндекс.Диск.






Теги: нанотехнология :: электроника :: Чаплыгин :: 2013