Физика твердого тела, Епифанов Г.И., 1977

Физика твердого тела, Епифанов Г.И., 1977.

   В книге в доступной форме изложены основы физики твердого тела, включающие описание механических, тепловых, электрических и магнитных свойств твердых тел, контактных, термоэлектрических и гальваномагнитных явлений в них.
Книга может служить учебным пособием по спецкурсу «Физика твердого тела» и по ряду других учебных дисциплин («Физические основы электронной техники», «Физические основы микроэлектроники» и др ) Кроме того, она может быть полезной для широкого круга инженерно технических работников, желающих освежить свои знания по основам физики твердого тела.




Ионная связь.
Атомы, стоящие в периодической системе Менделеева рядом с инертными газами, обладают склонностью принимать их конфигурацию путем отдачи или принятия электронов. У атомов щелочных металлов, стоящих непосредственно за инертными газами, валентный электрон движется вне заполненного слоя и связан с ядром слабо. У галоидов, стоящих непосредственно перед инертными газами, недостает одного электрона для заполнения устойчивого слоя благородного газа. Поэтому они обладают высоким сродством к дополнительному электрону.

Связь между такого рода атомами, т. е. между типичными металлами и галоидами, осуществляется следующим образом. Вначале происходит перезарядка обоих атомов: электрон от атома металла переходит к атому галоида. При этом атом металла превращается в положительно заряженный ион, атом галоида — в отрицательно заряженный ион. Эти ионы взаимодействуют по закону Кулона, как два разноименных заряда. Такая связь получила название ионной, или полярной.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Предисловие.
Глава I. Силы связи. Внутренняя структура твердых тел.
§1. Силы Ван-дер-Ваальса.
§2. Ионная связь.
§3. Ковалентная связь.
§4. Металлическая связь.
§5. Водородная связь.
§6. Сопоставление различных видов связи.
§7. Силы отталкивания.
§8. Кристаллическая решетка.
§9. Обозначения узлов, направлений и плоскостей в кристалле.
§10. Классификация твердых тел по характеру сил связи.
§11. Явление полиморфизма.
§12. Несовершенства и дефекты кристаллической решетки.
Глава II. Механические свойства твердых тел.
§13. Упругая и пластическая деформации. Закон Гука.
§14. Основные закономерности пластического течения кристаллов.
§15. Механическое двойникование.
§16. Теоретическая и реальная прочности кристаллов на сдвиг.
§17. Понятие о дислокациях. Основные типы дислокаций.
§18. Силы, необходимые для перемещения дислокаций.  
§19. Источники дислокаций. Упрочнение кристаллов.
§20. Хрупкая прочность твердых тел.
§21. Временная прочность твердых тел.
§22. Пути повышения прочности твердых тел.
Глава III. Элементы физической статистики.
§23. Способы описания состояния макроскопической системы (коллектива).
§24. Невырожденные и вырожденные коллективы.
§25. Число состояний для микрочастиц.
§26. Функция распределения для невырожденного газа.
§27. Функция распределения для вырожденного газа фермионов.
§28. Функция распределения для вырожденного газа бозонов.
§29. Правила статистического усреднения.
Глава IV. Тепловые свойства твердых тел
§30. Понятие о нормальных колебаниях решетки.
§31. Спектр нормальных колебаний решетки.
§32. Понятие о фононах.
§33. Теплоемкость твердого тела.
§34. Теплоемкость электронного газа.
§35. Тепловое расширение твердых тел.
§36. Теплопроводность твердых тел.
Глава V. Зонная теория твердых тел.
§37. Энергетические уровни свободных атомов.
§38. Обобществление электронов в кристалле.
§39. Энергетический спектр электронов в кристалле.
§40. Зависимость энергии электрона от волнового вектора.
§41. Эффективная масса электрона.
§42. Заполнение зон электронами. Проводники, диэлектрики и полупроводники.
§43. Собственные полупроводники. Понятие о дырках.
§44. Примесные полупроводники.
§45. Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей в полупроводниках.
§46. Неравновесные носители.
Глава VI. Электропроводность твердых тел.
§47. Равновесное состояние электронного газа в проводнике в отсутствие электрического поля.
§48. Дрейф электронов под действием внешнего поля.
§49. Время релаксации и длина свободного пробега.
§50. Удельная электропроводность проводника.
§51. Электропроводность невырожденного и вырожденного газов.
§52. Закон Видемана — Франца — Лоренца.
§53. Зависимость подвижности носителей заряда от температуры.
§54. Электропроводность чистых металлов.
§55. Электропроводность металлических сплавов.
§56. Собственная проводимость полупроводников. Примесная проводимость полупроводников.
§58. Отступление от закона Ома. Эффект сильного поля.
§59. Эффект Ганна.
§60. Фотопроводимость полупроводников.
§61. Люминесценция.
§62. Понятие о сверхпроводимости.
Глава VII. Магнитные свойства твердых тел.
§63. Магнитное поле в магнетиках.
§64. Магнитные свойства твердых тел.
§65. Магнитные свойства атомов.
§66. Природа диамагнетизма.
§67. Природа парамагнетизма.
§68. Природа ферромагнетизма.
§69. Антиферромагнетизм.
§70. Ферримагнетизм. Ферриты.
§71. Магнитный резонанс.
§72. Понятие о квантовой электронике.
Глава VIII. Контактные явления.
§73. Работа выхода.
§74. Контакт двух металлов.
§75. Контакт металла с полупроводником.
§76. Контакт двух полупроводников с различным типом проводимости.
§77. Физические принципы работы полупроводниковых приборов, основанных на р-n-переходе.
§78. Понятие об интегральной электронике (микроэлектронике).
Глава IX. Термоэлектрические и гальваномагнитные явления.
§79. Эффект Зеебека.
§80. Эффект Пельтье.
§81. Эффект Томсона.
§82. Гальваномагнитные явления.
§83. Практическое применение термоэлектрических и гальваномагнитных явлений.
Приложения.
Литература.
Предметный указатель.

Купить - djvu .








Теги: учебник по физике :: физика :: Епифанов