Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем, в 2 частях, часть 2, Королёв М.А., 2012

Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем, в 2 частях, часть 2, Королёв М.А., 2012.

Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах.
Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области.



Интегральные схемы содержат активные и пассивные элементы.

К активным элементам кремниевых СБИС можно отнести такие полупроводниковые приборы, как биполярный транзистор, МОП-транзистор, диоды. Пассивные элементы ИС — конденсаторы и резисторы.
В первой части данной книги приведены структуры дискретных вариантов этих элементов и достаточно подробно описаны технологические процессы их изготовления. Однако такие конструкции полупроводниковых приборов не могут быть использованы при формировании активных элементов ИС, так как к ним предъявляется ряд специфических дополнительных требований:
1. Все выводы от прибора должны находиться в одной плоскости и расположены сверху для возможности впоследствии создания пленочной разводки межсоединений.
2. Электрические параметры интегральных приборов должны быть не хуже параметров дискретных приборов.
3.  Необходимо принять специальные конструктивно-технологические меры дли устранения паразитных связей между отдельными приборами.
4. Технологический маршрут изготовления СБИС должен предусматривать групповой метод формирования этих элементов, то есть почти одновременно на одной или многих кремниевых пластинах.


Оглавление.

Введение
РАЗДЕЛ  1. ОСНОВНЫЕ МАРШРУТЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
1. Дополнительные области ИС
2. Особенности масштабированной технологии изготовления ИС
3. Примеры маршрутов изготовления ИС
4. Современное состояние технологии многоуровневой системы металлизации кремниевых ИС
РАЗДЕЛ 2. ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР СБИС
1. Современные проблемы разработки процессов  плазменного травления для УБИС
2. Элементарные   процессы,   протекающие   в   плазме  и плазменных системах различного типа
6. Специфика плазменного оборудования, используемого в субмикронной технологии
4. Базовые технологические процессы плазменного формирования трехмерных микроструктур
5. Глубокое анизотропное плазменное травление кремния для формирования микроэлектромеханических систем
6. Методология разработки процессов формирования трехмерных структур УБИС плазменными методами
РАЗДЕЛ 3.  МЕТОДЫ ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ В ПРОЕКТИРОВАНИИ МАРШРУТОВ И ЭЛЕМЕНТОВ СБИС
1. Системы приборно-технологического моделирования
2. Программные средства приборно-технологического моделирования как основа системы виртуального производства
3. Примеры использования методов приборно-технологического моделирования
4. Моделирование базовых технологических маршрутов.
Литература


Купить .











Теги: Технология :: конструкция :: микросхема :: часть 2 :: Королёв :: 2012