Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем, в 2 частях, часть 1, Королёв М.А., 2012

Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем, в 2 частях, часть 1, Королёв М.А., 2012.

Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах.
Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области.



Кремний — основной материал для полупроводниковых интегральных микросхем.

В производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем используются германий, кремний и арсенид галлия.
Основные физические и механические свойства этих материалов приведены в табл. 1.1.
В производстве приборов и схем используют полупроводниковые материалы, легированные различными примесями, что дает возможность существенно изменять свойства этих материалов. Однако основным материалом для изготовления интегральных микросхем (ИМС) и микросистем до настоящего времени остается кремний. Он обладает рядом свойств, позволяющих легко создавать на нем диэлектрические слои для маскирования от проникновения примесей и защиты поверхности от влияния внешней среды, обеспечивающих высокие рабочие температуры (до 150 °С). Поэтому именно технология кремниевых интегральных элементов будет рассматриваться в настоящем пособии.
Кремний имеет алмазоподобную кристаллическую решетку, которая может быть представлена как две гранецентри-рованные кубические решетки, сдвинутые относительно друг друга на 1/4 большой диагонали куба. Параметр решетки куба а равен 0,54 нм (длина ребра куба), а расстояние между двумя ближайшими соседними атомами составляет 0,23 нм. Каждый атом связан с четырьмя ближайшими соседями ковалентными связями, расположенными по отношению к этому атому в вершинах правильного тетраэдра.


Оглавление.

Предисловие редактора
Введение
РАЗДЕЛ 1. ОСНОВНЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ИС
1. Поверхностная обработка полупроводниковых материалов
2. Диэлектрические пленки на кремнии
3. Введение примесей в кремний или легирование полупроводниковых материалов
4. Технология литографических процессов
5. Металлизация
Раздел 2. Математическое моделирование технологических процессов
1. Моделирование процесса ионной имплантации
2. Моделирование процесса термического окисления кремния
3. Моделирование процесса диффузии
4. Диффузия примеси в окисляющей среде
5. Моделирование травлении и осаждения слоев
6. Моделирование процесса фотолитографии.
Литература


Купить .










Теги: Технология :: конструкция :: микросхема :: часть 1 :: Королёв :: 2012