Проектирование интегральных микросхем, конспект лекций, Белова Г.Ф., Булушева М.А., Попов В.Д., 2009

Проектирование интегральных микросхем, конспект лекций, Белова Г.Ф., Булушева М.А., Попов В.Д., 2009.

1.2. Два пути проектирования ИМС.

Первый путь - проектирование заказных ИМС. Проектирование осуществляется для данной технологии (конкретного предприятия). В этом случае используются минимальные допуски на размеры конкретного технологического цикла производства ИМС и разрабатывается топология микросхемы. В этом случае максимально используется площадь чипа. Но если технология изменилась, то топологию микросхемы необходимо проектировать вновь. Второй путь - использование масштабирования. В этом случае при уменьшении размеров элементов сохраняется работоспособность элементов и узлов микросхемы. Поэтому не требуется разрабатывать вновь топологию элементов и блоков, а использовать библиотеку. Недостатком этого пути является
то, что проектирование производится с некоторым запасом, а, значит, не удается максимальное использование площади чипа.

Проектирование интегральных микросхем, конспект лекций, Белова Г.Ф., Булушева М.А., Попов В.Д., 2009



1.2. Рабочие слои ИМС.
1.2.1. Основные слои твердотельных ИМС.

Основой твердотельных ИМС является кристалл полупроводника. Иногда на поверхность кристалла наносится эпитаксиальная пленка полупроводника. Поверхность полупроводника покрывается изолятором - оксидом кремния (Si02). Пленка оксида кремния выполняет пассивирующую функцию поверхности полупроводника и изолирует от полупроводника поликремниевые и металлические полоски межсоединений. Поверх слоя межсоединений наносят изолирующий слой стеклообразного диэлектрика (иногда легированного бором или фосфором). Следующие слои межсоединений выполняются металлическими пленками, разделенными слоями стеклообразного диэлектрика. Наиболее широко используются алюминиевые пленки, но в последнее время применяются пленки силицидов (например, CoSi2) и меди. Общий вид расположения слоев ИМС показан на рис. 1.3.

СОДЕРЖАНИЕ.

Введение.
Глава 1 Общие принципы проектирования ИМС.
Глава 2. Проектирование ИМС на МОП транзисторах.
Глава 3. Проектирование ИМС на биполярных транзисторах.
Глава 4. Проектирование гибридных ИМС.
Глава 5 Конструктивные методы повышения надежности ИМС.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Проектирование интегральных микросхем, конспект лекций, Белова Г.Ф., Булушева М.А., Попов В.Д., 2009 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу



Скачать - pdf - Яндекс.Диск.
Дата публикации:





Теги: :: :: :: :: ::


Следующие учебники и книги:
Предыдущие статьи:


 


 

Книги, учебники, обучение по разделам




Не нашёл? Найди:





2021-12-08 05:06:46