Основы физики и технологии полупроводниковых лазеров, Жуков А.Е., 2016

Основы физики и технологии полупроводниковых лазеров, Жуков А.Е., 2016.

Рассмотрены физические явления, на которых основаны полупроводниковые лазеры. Обсуждаются их приборные характеристики и особенности, связанные с использованием квантоворазмерной активной области. Затронуты технологические аспекты эпитаксиального синтеза полупроводниковых гетероструктур и изготовления лазерных диодов различных типов. Представлены наиболее значимые экспериментальные данные. Издание адресовано студентам магистратуры и аспирантам, чье направление подготовки связано с лазерной физикой, приборами оптоэлектроники, физикой полупроводников, полупроводниковыми материалами и наноструктурами.





ВВЕДЕНИЕ.

Полупроводниковые лазеры впервые были продемонстрированы в 1962 году, практически одновременно в группе Роберта Холла в Дженерал Электрик, США и в группе Николая Геннадьевича Басова из Физического института Академии наук СССР, спустя всего два года после первого твердотельного лазера на рубине. За эти полвека они получили самое широкое распространение, прежде всего для передачи, записи и считывания информации, оптической накачки, печати. Понятие «полупроводниковый лазер» охватывает сегодня большой класс приборов, значительно отличающихся друг от друга по своим характеристикам, например по уровню излучаемой мощности или спектральным характеристикам, по используемым материалам и применяемым методам изготовления, по размерам. Но как бы ни было велико их разнообразие, в основу их функционирования положены два общих принципа генерация оптической мощности за счет стимулированного излучения, возникающего в результате взаимодействия фотонов с носителями заряда, заселяющими определенные уровни энергии и совершающими оптические переходы между уровнями, а также принцип управления светом за счет формирования оптических резонаторов, то есть пространственных профилей показателя преломления.

СОДЕРЖАНИЕ.

Предисловие к серии.
Введение.
ЧАСТЬ 1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ, ОБЩИЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРАХ.
ЧАСТЬ 2. ОПТИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРОВ.
ЧАСТЬ 3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И НАНОСТРУКТУРЫ.
ЧАСТЬ 4. ЛАЗЕРНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ.
ЧАСТЬ 5. ПРИБОРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРОВ.
Заключение.
Рекомендованная литература.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Основы физики и технологии полупроводниковых лазеров, Жуков А.Е., 2016 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - pdf - Яндекс.Диск.




Теги: Жуков :: 2016 :: физика