Численное моделирование микроэлектронных структур, Мулярчик С.Г., 1989

Численное моделирование микроэлектронных структур, Мулярчик С.Г., 1989.
 
    Монография посвящена вопросам постановки, методам и алгоритмам решения задачи численного моделирования микроэлектронных структур. Содержит обобщающее введение в проблему получения математических моделей полупроводниковых структур, берущую свое начало в закономерностях электромагнитных процессов, выраженных уравнениями Максвелла. Главное внимание уделяется аспектам автоматизации численного моделирования, созданию вычислительного инструментария проверки модельных технолого-конструктивных решений. Результаты теоретических исследований иллюстрируются большим количеством примеров и рисунков.
Адресуется специалистам в области автоматизации проектирования в микроэлектронике, инженерам-разработчикам полупроводниковых приборов и интегральных схем. Может быть полезной студентам и аспирантам, специализирующимся в области микроэлектроники и автоматизации проектирования.




ИНТЕГРАЛЬНАЯ ФОРМА.
Дифференциальной форме уравнений Максвелла свойственна следующая особенность: на границе раздела двух сред они теряют смысл, так как пространственные производные становятся неопределенными. Это связано с тем, что значения параметров ↋, µ изменяются скачком при переходе через поверхность раздела двух сред, что в свою очередь обусловливает разрыв непрерывности векторов поля. В таких случаях при решении полевых задач используют граничные условия (1.4).

При постановке и решении полевых задач необходимо различать два вида граничных условий: условия на границе анализируемой структуры с внешней средой (их будем называть в дальнейшем граничными условиями); условия на поверхности раздела разнородных сред, из которых может состоять структура (их будем называть внутренними граничными условиями). Дифференциальная форма уравнений Максвелла неизбежно приводит к необходимости использования внутренних граничных условий, если только рассматривается полевая задача в «слоистых» структурах.

СОДЕРЖАНИЕ.
Предисловие.
Глава 1. Основные уравнения теории полупроводниковых приборов.
1.1. Уравнения электромагнитного поля.
1.2. Интегральная форма.
1.3. Квазистационарное приближение.
Глава 2. Описание полупроводниковых сред.
2.1. Концентрации дырок и электронов.
2.2. Плотности тока.
2.3. Дрейфовая подвижность.
2.4. Ток в сильно легированных полупроводниках.
2.5. Рекомбинация носителей заряда.
2.6. Границы полупроводниковых сред.
Глава 3. Двумерное моделирование стационарных процессов.
3.1. Математические модели микроэлектронных структур.
3.1.1. Модели в смешанном базисе.
3.1.2. Особенности математических моделей гибридного набора основных переменных.
3.1.3. Переход в однородный базис.
3.1.4. Общая характеристика смешанного, гибридного и однородного наборов переменных.
3.2. Алгебраизация уравнений.
3.2.1. Выбор метода аппроксимации.
3.2.2. Разностная сетка.
3.2.3. Дискретное уравнение Пуассона.
3.2.4. Дискретные уравнения непрерывности.
3.3. Решение нелинейной алгебраизованной задачи.
3.3.1. Алгоритмы последовательного типа.
3.3.2. Свойства порождаемых линейных систем.
3.3.3. Расчет начального приближения.
3.3.4. Квазигуммелевские алгоритмы.
Глава 4. Методы решения линейных систем.
4.1. Методы сопряженных направлений.
4.2. Неполная факторизация симметрических матриц.
4.2.1. Полное разложение.
4.2.2. Неполные факторизации.
4.2.3. Модифицированные неполные факторизации.
4.2.4. Блочная факторизация.
4.2.5. Неполные блочные разложения.
4.3. Метод сопряженных направлений с неполной факторизацией.
4.3.1. Вопросы реализации.
4.3.2. Численное исследование.
4.4. Неполная факторизация произвольных матриц.
4.4.1. Полное разложение.
4.4.2. Неполная факторизация и ее устойчивость.
4.5. Адаптация методов сопряженных направлений к системам с несимметрическими матрицами.
4.5.1. Симметризация уравнений.
4.5.2. Численное исследование.
Глава 5. Автоматизация моделирования.
5.1. Формирование линейных систем.
5.1.1. Распределенное описание структуры и способ идентификации ее областей.
5.1.2. Способы формирования линейных систем.
5.1.3. Аспекты реализации.
5.2. Вычислительные модели квадрантов.
5.2.1. Модели, порождаемые уравнением Пуассона.
5.2.2. Модели уравнений непрерывности смешанного базиса.
5.2.3. Модели уравнений непрерывности однородного и гибридного наборов переменных.
5.3. Построение сетки и профиля легирования.
Глава 6. Обработка результатов вычислительных экспериментов.
6.1. Расчет токов.
6.2. Расчет параметров электрических моделей.
Глава 7. Комплекс программ двумерного численного моделирования.
7.1. Организация комплекса.
7.2. Входной язык.
7.3. Алгоритмы трансляции.
7.4. Примеры применения KFSM.
Литература.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Численное моделирование микроэлектронных структур, Мулярчик С.Г., 1989 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать файл № 1 - pdf
Скачать файл № 2 - djvu
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - djvu - Яндекс.Диск.

Скачать - pdf - Яндекс.Диск.




Теги: учебник по электронике :: электроника :: электротехника :: Мулярчик :: микроэлектроника