Наноэлектроника и схемотехника, Часть 2, Трубочкина Н.К., 2019

Наноэлектроника и схемотехника, Часть 2, Трубочкина Н.К., 2019.

   В учебнике представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является нс транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов к кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размером 10-20 нм и сравнительный анализ четырех типов схемотехник. Издание представлено в двух частях. В первой части рассмотрены наносхемотехника и наноэлектроника логических схем, во второй — наносхемотехника и наноэлектроника схем памяти.
Учебник соответствует актуальным требованиям Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования.
Для студентов высших учебных заведении, обучающихся по специальностям «Нанотехнология и микросистемная техника», «Электроника и наноэлектроника», «Вычислительные системы, комплексы и сети», а также научных работников, аспирантов и инженеров, специализирующихся в области разработки элементной базы суперкомпьютере и альтернативных вычислительных систем.




МОП-транзисторы.
МОП-транзисторы (метал — окисел (диэлектрик) — полупроводник) отличаются от биполярных тем, что в их рабочую структуру добавляется новый компонент — тонкий слой оксида, через который на полупроводник подается напряжение, управляющее работой транзистора (рис. 10.1) [131-135].

Если на затворы транзисторов подавать напряжения, достаточные для того, чтобы сместить неосновные носители из подложки к поверхности полупроводника, под тонким слоем оксида между рабочими областями формируется проводящий канал. Цепь из рабочих областей и этого канала станет проводящей, и при наличии питания в ней потечет ток — транзистор будет открыт. Чем выше (по модулю) управляющий потенциал на затворе, тем больше неосновных носителей притянется к поверхности и тем «глубже» будет формируемый канал, соответственно, сопротивление открытого транзистора станет меньше (а проводимость — больше).

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Глава 10. Транзисторная и переходная моп-схемотехники.
Глава 11. Транзисторная и переходная КМОП-схемотехники.
Глава 12. Транзисторная и переходная БИМОП-схемотехники.
Глава 13. Методика проектирования сбис в переходной схемотехнике.
Глава 14. Триггерные схемы.
Глава 15 Последовательностные цифровые функциональные устройства ЭВМ.
Глава 16. Регистры.
Глава 17. Счетчики.
Глава 18. Генераторы чисел.
Глава 19. Комбинационные схемы устройств.
Глава 20. Схемотехника матриц. Матричное проектирование.
Глава 21. Автоматизация этапов проектирования СБИС в переходной схемотехнике.
Глава 22. Система математических моделей и наноструктур логических элементов и элементов памяти переходной схемотехники различной размерности для полупроводниковой наноэлектроники.
Глава 23. Сравнительный анализ транзисторной и переходной полупроводниковых схемотехник.
Глава 24. Наноструктуры и их модели. Четыре типа переходной схемотехники.
Заключение.
Использованная литература.
Рекомендуемая литература.

Купить .








Теги: учебник по нанотехнологии :: нанотехнология :: Трубочкина :: наноэлектроника :: схемотехника