Наноэлектроника и схемотехника, Часть 1, Трубочкина Н.К., 2019

Наноэлектроника и схемотехника, Часть 1, Трубочкина Н.К., 2019.

   В учебнике представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является нс транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов к кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размером 10-20 нм и сравнительный анализ четырех типов схемотехник. Издание представлено в двух частях. В первой части рассмотрены наносхемотехника и наноэлектроника логических схем, во второй — наносхемотехника и наноэлектроника схем памяти.
Учебник соответствует актуальным требованиям Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования.
Для студентов высших учебных заведении, обучающихся по специальностям «Нанотехнология и микросистемная техника», «Электроника и наноэлектроника», «Вычислительные системы, комплексы и сети», а также научных работников, аспирантов и инженеров, специализирующихся в области разработки элементной базы суперкомпьютере и альтернативных вычислительных систем.




Полевой транзистор на основе графена.
Повышение быстродействия компонентов СБИС — одна из важнейших задач, которые ставятся при их создании.

Графен — удивительный материал, который постоянно преподносит ученым сюрпризы. Монослои графита обладают такой же подвижностью носителей зарядов при комнатной температуре, как и углеродные нанотрубки, что крайне важно при создании различных электронных устройств. При этом из графена можно собирать микрочипы по отработанной годами планарной технологии, ныне используемой при создании микросхем на основе кремния. К тому же, благодаря двумерной структуре графена управляющий ток можно легко увеличить за счет изменения ширины проводящего канала.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Предисловие.
Введение.
Глава 1. Основные этапы развития элементной базы ЭВМ.
Глава 2. Обзор и анализ состояния элементной базы для наноиндустрии. Перспективы развития.
Глава 3. Переходная 3D наносхемотехника — новая компонентная концепция и новое качество в создании трехмерных интегральных схем.
Глава 4. Теоретические основы переходной схемотехники.
Глава 5. Элементы переходной схемотехники.
Глава 6. Система простейших логических элементов.
Глава 7. Переходная схемотехника. Синтез математических моделей.
Глава 8. Реализация функции И-НЕ в транзисторной и переходной схемотехниках.
Глава 9. Реализация функции ИЛИ-HE в транзисторной и переходной схемотехниках.
Использованная литература.
Рекомендуемая литература.

Купить .








Теги: учебник по нанотехнологии :: нанотехнология :: Трубочкина :: наноэлектроника