Физические основы микро- и наноэлектроники, Методические указания по выполнению лабораторных работ, Васильев Е.В., Раевский Г.П., Попова Т.А., Черноверская В.В., 2020

Физические основы микро- и наноэлектроники, Методические указания по выполнению лабораторных работ, Васильев Е.В., Раевский Г.П., Попова Т.А., Черноверская В.В., 2020.

   Методические указания содержат краткие теоретические сведения, методику проведения лабораторных работ и примеры расчетных заданий в рамках программы дисциплины «Физические основы микро- и наноэлектроники».
Предназначено для студентов бакалавриата, обучающихся по направлению 11.03.03 «Конструирование и технология РЭС».




ИЗУЧЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ P-N - ПЕРЕХОДОВ.
В качестве приемников излучения оптического диапазона применяются полупроводниковые элементы с р-n переходом. Под воздействием света в поверхностном слое полупроводника, например, n-типа, генерируются электронно-дырочные пары. Диффундируя в глубину полупроводника электрон-дырочные пары достигают области р-n - перехода. Дырки, как неосновные носители заряда, беспрепятственно преодолевают область пространственного заряда, а прохождению электронов через него препятствует потенциальный барьер. Возникновение по обе стороны перехода дополнительных зарядов противоположного знака эквивалентно подаче на него прямого напряжения, понижающего высоту потенциального барьера, в результате чего через переход протекает т.н. фототок. Его величина зависит от интенсивности светового потока и длины волны. Наибольшей интенсивности фототок в р-n - переходе достигает, когда значение длины волны светового потока, определяющей энергию фотона, соответствует ширине запрещенной зоны полупроводника. С увеличением длины волны излучения сверх этого значения происходит резкий спад интенсивности фототока, что получило название красной границы восприимчивости перехода. С уменьшением длины волны наблюдаются другие максимумы фототока, определяемые энергетическими переходами между зоной проводимости и отдельными примесными уровнями, но их интенсивность заметно ниже.

Фоточувствительные свойства перехода используются для получения фото ЭДС - в вентильном (В) и в фотодиодном (ФД) режимах. В режиме ФД используется обратная ветвь ВАХ. вследствие ее более высокой чувствительности к изменениям светового потока - на диод подается обратное смешение. В режиме (В) - в отсутствие напряжения смешения, - р-n - переход работает как источник фото-ЭДС (как солнечная батарея).

ОГЛАВЛЕНИЕ.
ВВЕДЕНИЕ.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ЗАВИСИМОСТЕЙ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ И ГЕРМАНИЕВЫХ P-N – ПЕРЕХОДОВ.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2.ИЗУЧЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ P-N – ПЕРЕХОДОВ.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК МЕТОДОМ CV-МЕТРИИ.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №4. ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКА МЕТОДОМ ХОЛЛ-ЭФФЕКТА.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №5. ИССЛЕДОВАНИЕ ИМПУЛЬСНЫХ И ЧАСТОТНЫХ СВОЙСТВ P-N – ПЕРЕХОДОВ.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №6. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ПРОВОДИМОСТИ ПЛЕНОЧНОГО РЕЗИСТОРА И ЕМКОСТИ ПЛЕНОЧНОГО КОНДЕНСАТОРА.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №7. ПОЛУПРОВОДНИКИ В СИЛЬНОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №8. ОПРЕДЕЛЕНИЕ МАГНИТНОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ И ТАНГЕНСА УГЛА МАГНИТНЫХ ПОТЕРЬ РЕЗОНАНСНЫМ МЕТОДОМ.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №9. ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТНЫХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ.
ПРИЛОЖЕНИЕ. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАВНЫХ P-N – ПЕРЕХОДОВ.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Физические основы микро- и наноэлектроники, Методические указания по выполнению лабораторных работ, Васильев Е.В., Раевский Г.П., Попова Т.А., Черноверская В.В., 2020 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - pdf - Яндекс.Диск.




Теги: методичка по электронике :: электроника :: электротехника :: Васильев :: Раевский :: Попова :: Черноверская :: наноэлектроника