Рост и морфология кристаллов, Козлова О.Г., 1980

Рост и морфология кристаллов, Козлова О.Г., 1980.
   
  В переработанном и дополненном третьем издании учебника изложены основные положения теории и практики выращивания кристаллов. Особое внимание уделено морфологии кристаллов, составляющей главное содержание учения о росте кристаллов и являющейся ключом к решению генетических проблем минералогии, проблемы получения совершенных кристаллов и кристаллов со специфическими свойствами. Изложена методика выращивания монокристаллов и закономерных кристаллических сростков.
Рассчитан на студентов геологических и химико-технологических вузов, специалистов, занимающихся вопросами кристаллизации вещества.




ДИАГРАММЫ СОСТОЯНИЯ И РАВНОВЕСНЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ.
Фазовые превращения удобно представлять графически. Анализ диаграммы состояния предваряет все работы по выращиванию кристаллов. Не следует забывать, что диаграммы состояния применимы только к системам в состоянии равновесия.

На рис. 4 представлены диаграммы состояния двойных систем, в которых переменными служат состав, температура и давление. Вдоль линии равновесия систему определяет задание одной переменной. На рис. 4, а показаны фазовые соотношения, типичные для изоморфных соединений — компоненты А и В полностью растворимы друг в друге как в твердом, так и в жидком состоя* ниях. Кривая ликвидуса дает температуру затвердевания расплава в зависимости от состава, тогда как кривая солидуса характеризует температуру, при которой начинается в зависимости от состава плавление твердой фазы. Горизонтали (1—2 и др.) связывают жидкости и твердую фазу одного состава, находящиеся в равновесии.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Введение.
Часть первая Зарождение и рост кристаллов.
Глава I. Кристаллизация как фазовое превращение вещества.
§1. Общий случай фазовых превращений.
§2. Термодинамические предпосылки процесса кристаллизации.
§3. Диаграммы состояния и равновесный коэффициент распределения.
§4. Кинетика кристаллизации.
§5. Кристаллизационные среды и их особенности.
Растворы и расплавы.
Газовая среда.
Твердая кристаллическая среда.
Сравнительная энергетическая характеристика кристаллизации.
Глава II. Поверхность кристалла.
§1. Поверхностная энергия кристалла и полярная диаграмма Вульфа.
§2. Классификация поверхностей кристалла.
§3. Адсорбция.
Глава III. Образование зародышей.
§1. Гомогенное зародышеобразование.
Кинетика гомогенного зародышеобразования.
Экспериментальные данные по гомогенному зарождению кристаллов.
§2. Гетерогенное образование зародышей.
Эпитаксия.
§3. Факторы, влияющие на зарождение кристаллов.
Глава IV. Равновесные формы кристаллов.
§1. Связь равновесной формы кристаллов с их структурой.
§2. Термодинамическая теория Гиббса.
§3. Теорема Вульфа и метод Гиббса-Вульфа определения равновесной формы.
§4. Молекулярно-кинетические теории роста и растворения кристаллов.
§5. Метод средних работ отрыва.
§6. Экспериментальное получение равновесной формы.
Глава V. Теории роста кристаллов.
§1. Общие положения.
§2. Роль диффузии в процессах роста.
§3. Механизм роста кристаллов двумерными зародышами.
§4. Дислокационный механизм роста.
§5. Феноменологическая теория послойного роста кристаллов.
§6. Кинетический коэффициент кристаллизации.
§7. Связь молекулярно-кинетической теории роста кристаллов с дислокационной теорией.
§8. Электрическая структура реальных кристаллов и ее влияние на процессы зародышеобразования и роста.
§9. Теории нормального роста кристаллов из расплавов Теория Джексона.
Теория Кана.
Теория Темкина.
Теория Борисова.
§10. Механизм роста кристаллов трехмерными зародышами.
§11. О кристаллохимическом аспекте объяснения роста кристаллов. Работы Н. В. Белова.
§12. Влияние примесей на кинетику кристаллизации.
§13. Захват примесей.
Глава VI. Тепло- и массоперенос.
§1. Диффузия в растворе.
§2. Теплоперенос при кристаллизации из расплава.
§3. Гидродинамический перенос.
Часть вторая Морфология кристаллов.
Глава VII. Формы кристаллов.
§1. Реальные и физически возможные грани.
§2. Формы роста кристаллов.
Влияние примесей на форму роста кристаллов и совершенство граней.
Распределение примесей в кристалле.
Влияние структуры и химизма среды на последовательность кристаллизации и форму роста кристаллов.
Кристаллизационное давление.
Влияние температуры, пересыщения (переохлаждения) и движения раствора (расплава) на форму роста кристаллов.
Закон геометрического отбора.
Морфологическая устойчивость кристаллов.
Переходные формы роста кристаллов от полиэдрической к дендритной.
Нитевидные кристаллы.
Сферолиты и другие формы роста кристаллов.
§3. Формы растворения.
Факторы, влияющие на растворение кристаллов.
Глава VIII. Дефекты в кристаллах.
§1. Классификация дефектов.
§2. Точечные дефекты.
§3. Дислокации, их свойства и условия образования.
§4. Поверхностные дефекты.
Двойниковые границы.
Свободная поверхность кристалла.
Линии слоев роста. Комбинационная штриховка.  
Вицинали.
Спирали роста, депрессии.
Выходы границ блоков и двойников.
Фигуры травления.
§5. Теории внешней формы кристаллов.
§6. Трехмерные дефекты.
§7. Методы морфологического исследования кристаллов.
Оптические методы.
Гониометрия.
Метод конометрии.
Метод поляризационно-теневой установки.
Интерференционная микроскопия и интерферометрия.
Метод голографии.
Метод фазового контраста.
Методы исследования рассеяния света в кристаллах.
Электронно-микроскопический метод.
Химические методы.
Методы декорирования.
Метод травления.
Рентгеновская дифракционная топография.
Дифракционная электронная микроскопия и другие методы.
Часть третья Практика выращивания кристаллов.
Глава IX. Основные принципы технического выращивания монокристаллов.
§1. Методы очистки исходного материала и легирование
§2. Аппаратура для нагрева, измерения и поддержания температуры.
Тигли.
Глава X. Методы выращивания монокристаллов.
§1. Выращивание монокристаллов из расплавов.
Наблюдение с помощью микроскопа процессов роста кристаллов из расплавов.
Изменение температуры при неподвижном тигле.
Перемещение кристалла в температурном градиенте
Получение бездислокационных и малодислокационных кристаллов.
Получение кристаллов с заданной дислокационной структурой.
Получение кристаллов с равномерным распределением легирующих примесей.
Выращивание кристаллов определенной формы.
Перемещение тигля или печи в температурном градиенте.
Зонная кристаллизация и очистка вещества методом зонной плавки.
Метод Вернейля.
Отжиг кристаллов.
§2. Выращивание монокристаллов из растворов.
Построение кривой растворимости.
Технический расчет кристаллизации.
Кристаллизация при изменении температуры в водных растворах.
Кристаллизация при испарении растворителя.
Кристаллизация при тепловой конвекции раствора.
Гидротермальный метод.
Метод гравитации.
Кристаллизация в условиях встречной диффузии.  
Кристаллизация из растворов в расплавах.
Кристаллизация металлов при электролизе (электрокристаллизация).
§3. Выращивание монокристаллов из газовой фазы.
Выращивание по методу сублимации.
Химические реакции в газовой фазе.
Химические транспортные реакции.
§4. Кристаллизация из твердой фазы.
Собирательная рекристаллизация.
Метод рекристаллизации обработки для выращивания монокристаллов.
Химическая реакция в твердой фазе.
Кристаллизация алмазов.
Глава XI. Закономерно построенные кристаллические агрегаты.
§1. Ортотропизм.
§2. Ритмический рост.
§3. Текстуры.
Пьезоэлектрические и оптические текстуры.
Ферромагнитные текстуры.
Электреты.
Жидкие кристаллы.
Литература.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Рост и морфология кристаллов, Козлова О.Г., 1980 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать djvu
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - djvu - Яндекс.Диск.




Теги: учебник по геологии :: геология :: Козлова :: кристаллы