Атомно-силовая микроскопия для нанотехнологии и диагностики, Мошников В.А., Спивак Ю.М., 2009

Атомно-силовая микроскопия для нанотехнологии и диагностики, Мошников В.А., Спивак Ю.М., 2009.

  Рассматриваются различные методы сканирующей зондовой микроскопии и их применение в нанотехнологии и диагностике.
Предназначено для студентов, обучающихся по направлениям подготовки 210100 «Электроника и микроэлектроника», магистерским образовательным программам «Нанотехнология и диагностика», «Нано- и микросистемная техника» и 210600 «Нанотехнология». Также может служить для повышения квалификации преподавателей и научных работников.




Сканирующая микроскопия сопротивления растекания.
Отображение сопротивления растекания (Scanning spreading resistance microscopy, SSRM) является весьма продуктивным методом атомно-силовой микроскопии. используемым при различных исследованиях, например при обнаружении дефектов в проводящих и слабопроводящих пленках, для определения профилей распределения примесей в полупроводниковых интегральных микросхемах и т.п.

Суть метода заключается в следующем: сканирование проводится проводящим зондом АС-микроскопа в контактном режиме, при этом сила прижима зонда к поверхности (изгиб кантилевера) поддерживается постоянной. К зонду прикидывается напряжение смещения, и регистрируется результирующий ток через образец в зависимости от положения зонда одновременно с получением данных о рельефе. На рис. 2.1 схематически показан зондовый датчик для проведения измерений в режиме отображения сопротивления растекания, где 1 -омический контакт; 2 - зонд: 3 - оптоволокно; 4 - отражающее покрытие; 5 -кантилевер; 6 - кремниевый чип: 7 - проводящее покрытие; 8 - амперметр: 9 -поверхность образца.

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
1. Основы атомно-силовой микроскопии
1.1. Принцип работы атомно-силового микроскопа
1.2. Основные сведения об устройстве АС-микроскопов
1.3. Основные режимы работы АС-микроскопов
1.4. Методики регистрации рельефа поверхности в контактном режиме работы АС-микроскопа
1.4.1. Исследование гетероэпитаксиальных слоев методом ACM
1.4.2. Латерально-силовая микроскопия
1.4.3. Латерально-силовая микроскопия поликристаллических слоев на основе Pb1-xCdxSe
1.5. Картографирование сил адгезии и особенности кривых отвода-подвода зонда ACM
1.6. Исследование механических характеристик нанотрубок воздействием зонда ACM
Раздел 2. ACM электрофизических свойств
2.1. Сканирующая микроскопия сопротивления растекания
2.1.1. Определение удельного сопротивления по данным SSRM
2.1.2. Факторы, влияющие на измерения в режиме SSRM
2.1.3. Электромеханическая модель SSRM
2.2. Определение параметров полевых транзисторов с помощью SSRM
2.3. Сканирующая микроскопия сопротивления контактов металл-полупроводник на примере халькогенидов свинца
2.4. Сопротивление растекания поликристаллических слоев РbSе после различных обработок
2.5. Многопроходные электросиловые методы ACM
2.5.1. Сканирующая емкостная микроскопия
2.5.2. Кельвин-мода
2.5.3. Электростатическая силовая микроскопия
2.6. Сканирующая емкостная микроскопия для профилирования концентрации носителей заряда в полупроводниковых приборах
Раздел 3. Некоторые современные специальные методы ACM
3.1. Методы термической ACM
3.1.1. Т-АСМ при вариации температуры образца
3.1.2. Т-АСМ горячим зондом
3.2. Акустическая атомно-силовая микроскопия
3.3. Сканирующий нанотвердомер. Наноиндентирование
Заключение
Список литературы.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Атомно-силовая микроскопия для нанотехнологии и диагностики, Мошников В.А., Спивак Ю.М., 2009 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - pdf - Яндекс.Диск.




Теги: учебник по нанотехнологии :: нанотехнология :: Мошников :: Спивак