Микропроцессорные реле защиты, Устройство, проблемы, перспективы, Гуревич В.И., 2011.
В книге рассмотрены устройство и принцип действия микропроцессорных устройств релейной защиты (МУРЗ) на примерах конкретных типов современных МУРЗ ведущих мировых производителей. Для облегчения понимания текста энергетиками, работающими с МУРЗ, но не являющимися специалистами в области электроники, приведено подробное описание элементной базы МУРЗ, устройства и принципов действия транзисторов, тиристоров, оптронов, реле.
Рассматриваются конкретные проблемы надежности отдельных функциональных узлов МУРЗ, а также вопросы, касающиеся методики оценки надежности и эффективности МУРЗ. Подробно рассмотрены вопросы электромагнитных воздействий на МУРЗ как естественных, так и преднамеренных, кибербезопасности.
Книга рассчитана на инженеров и техников, занимающихся эксплуатацией релейной защиты, а также может быть полезна конструкторам, занимающимся разработкой МУРЗ, преподавателям и студентам соответствующих специальностей средних и высших учебных заведений.
Принцип действия транзистора.
Идея об использовании полупроводников была выдвинута еще перед второй мировой войной, но знания о том, как они работали, был весьма скудным, и процесс производства чистых полупроводников был очень сложным.
В 1945 г. вице-президентом известной корпорации Bell Laboratories была создана группа исследователей, которой было поручено исследование возможностей применения полупроводников в электронике. Группу в составе Уолтера Браттэйна, Джона Бардина и других физиков, работавших в области квантовой теории в твердых телах, возглавил Уильям Шокли.
В 1947 г. Уильям Шокли с коллегами Джоном Бардином и Уолтером Браттэйном сделали первое успешное устройство из полупроводника для усиления электрического сигнала. Они назвали его транзистором (производное от "трансформатора" и "резистора"). Дальнейшее развитие этого устройства и технологии его производства привело и созданию кремниевого чипа, без которого сегодня немыслимо существование многих областей техники. За создание транзистора Шокли, Бардин и Браттэйн были удостоены в 1956 г. Нобелевской премии.
Купить книгу Микропроцессорные реле защиты, Устройство, проблемы, перспективы, Гуревич В.И., 2011 .
По кнопкам выше и ниже «Купить бумажную книгу» и по ссылке «Купить» можно купить эту книгу с доставкой по всей России и похожие книги по самой лучшей цене в бумажном виде на сайтах официальных интернет магазинов Лабиринт, Озон, Буквоед, Читай-город, Литрес, My-shop, Book24, Books.ru.
По кнопке «Купить и скачать электронную книгу» можно купить эту книгу в электронном виде в официальном интернет магазине «ЛитРес», и потом ее скачать на сайте Литреса.
По кнопке «Найти похожие материалы на других сайтах» можно найти похожие материалы на других сайтах.
On the buttons above and below you can buy the book in official online stores Labirint, Ozon and others. Also you can search related and similar materials on other sites.
Дата публикации:
Теги: книги для студентов :: Гуревич
Смотрите также учебники, книги и учебные материалы:
Следующие учебники и книги:
- Введение в цифровую звукотехнику, Синклер Ян, 1990
- Электрорадиоэлементы, Курсовое проектирование, Свитенко В.Н., 1987
- Импульсные и цифровые устройства, Браммер Ю.А., Пащук И.Н., 2003
- Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов, Красников Г.Я., 2011
Предыдущие статьи:
- Электротехника, рабочая тетрадь, Ярочкина Г.В., 2012
- Техническое обслуживание, ремонт электрооборудования и сетей промышленных предприятий, книга 1, Сибикин Ю.Д., 2012
- Semiconductor lasers, Fundamentals and applications, Baranov A., Tournié E., 2013
- Переходные процессы в электроэнергетических системах, Куликов Ю.А., 2013