Мощные полевые транзисторы и их применение - Окснер Э.С.

Название: Мощные полевые транзисторы и их применение.

Автор: Окснер Э.С.

1985.

В книге американского специалиста рассматриваются принципы работы, конструктивно-технологические особенности и характеристики основных типов мощных полевых транзисторов с управляющим р-п переходом и МДП-структурой, описываются их модели различной сложности и назначения, схемотехника многочисленных устройств, для которых наиболее перспективно использование мощных полевых транзисторов, при этом уделяется внимание режимам их работы и возможным причинам отказов. Для разработчиков электронных приборов и специалистов, занимающихся применением мощных полевых транзисторов.

В настоящее время наблюдается бурный рост производства мощных полевых транзисторов (ПТ), особенно МДП-транзисто-ров. Хотя с момента появления первых мощных ПТ прошло менее 10 лет, по допустимым напряжениям, токам и мощностям они уже достигли уровня современных мощных биполярных транзисторов, а по скоростям переключения и качеству работы на высоких частотах заметно превзошли их. Достигнутая теплоустойчивость и почти полное отсутствие вторичного пробоя в ПТ позволили расширить область безопасной работы и повысить надежность, а также обеспечить простоту их параллельного включения в случае управления более мощными сигналами. Благодаря снижению сопротивления в открытом состоянии до 0,01-0,1 Ом мощные МДП-транзисторы становятся основной элементной базой для построения различных переключающих устройств промышленной и бытовой электроники. Стремительное развитие мощных МДП-транзисторов и микропроцессоров весьма удачно совпало по времени, поскольку исключительно быстрое расширение сферы применения микропроцессорной техники было бы заметно затруднено без таких почти идеальных исполнительных элементов, какими являются мощные МДП-транзисторы, управлять которыми можно зачастую непосредственно от серийных цифровых микросхем.

Оглавление:
Предисловие редактора перевода [5]
Предисловие [6]

1. Введение [8]
1.1. Основные сведения о полевых транзисторах [8]
1.1.1. Различия между полевыми транзисторами с управляющим p-n переходом и МДП транзисторами [9]
1.2. Зачем нужны мощные полевые транзисторы? [11]
1.2.1. Сравнение мощных полевых и биполярных транзисторов [12]
1.2.2. Сравнение тиристора и мощного полевого транзистора [15]
1.2.3. Сравнение мощного полевого транзистора и симистора [16]
1.2.4. Сравнение мощного полевого транзистора и схемы Дарлингтона [17]
1.2.5. Преимущества мощных полевых транзисторов [18]
1.3. Развитие мощных полевых транзисторов [19]
1.3.1. Историческая справка [20]
2. Типы мощных полевых транзисторов [21]
2.1. Введение [21]
2.2. Полевые транзисторы с встроенным каналом [22]
2.3. Полевые транзисторы с индуцированным каналом [23]
2.4. Типы мощных полевых транзисторов [25]
2.4.1. Преимущества цилиндрических мощных полевых транзисторов [27]
2.4.2. Гридистор [32]
2.4.3. Многоканальный полевой транзистор [34]
2.4.4. Статический индукционный транзистор [35]
2.4.5. Мощный МДП-транзистор [38]
2.4.6. МДП-транзистор с коротким каналом [41]
2.5. Выбор мощного полевого транзистора [50]
3. Технология изготовления мощных полевых транзисторов [52]
3.1. Введение [52]
3.2. Статический индукционный транзистор [54]
3.3. Вертикальный МДП-транзистор, создаваемый двойной диффузией [59]
3.4. V-образный МДП-транзистор [63]
3.5. МДП-транзистор с сетчатым затвором [65]
3.6. Заключение [68]
4. Основные характеристики и моделирование мощных полевых транзисторов [68]
4.1. Введение [68]
4.2. Электрические характеристики [70]
4.2.1. Пробивное напряжение [70]
4.2.2. Выходные характеристики [73]
4.2.3. Передаточные характеристики [70]
4.2.4. Токи утечки [77]
4.2.5. Межэлектродные паразитные емкости [80]
4.2.6. Крутизна [85]
4.2.7. Сопротивление транзистора в открытом состоянии [87]
4.3. Эквивалентные схемы ПТ с учетом их паразитных элементов [92]
4.3.1. Статический индукционный транзистор [92]
4.3.2. ДМДП- и УМДП-транзисторы [93]
4.4. Моделирование процессов переключения [98]
4.5. Эквивалентные схемы полевого транзистора для усилителей [104]
4.6. Область безопасной работы [109]
5. Применение мощных полевых транзисторов в импульсных источниках питания и стабилизаторах [112]
5.1. Введение [112]
5.2. Сравнение мощных полевых и биполярных транзисторов [114]
5.3. Сравнение мощных полевых транзисторов и тиристоров [120]
5.4. Инвертор [121]
5.5. Преобразователи на мощных МДП-транзисторах [123]
5.6. Основная схема стабилизатора [136]
5.7. Стабилизатор тока [139]
5.8. Заключение [141]
6. Использование мощных полевых транзисторов для управления электродвигателями [142]
6.1. Введение [142]
6.2. Управление электродвигателями постоянного тока [145]
6.3. Управление электродвигателями переменного тока [152]
6.3.1. Модуляция управляющих сигналов [154]
6.3.2. Парафазный переключающий каскад [160]
6.4. Заключение [161]
7. Использование мощных полевых транзисторов в усилителях звуковой частоты [164]
7.1. Введение [164]
7.2. Полевые транзисторы, лампы и биполярные транзисторы [165]
7.3. Требования к высококачественному усилителю звуковой частоты [171]
7.4. Однотактный усилитель мощности звуковой частоты [174]
7.5. Двухтактный усилитель для аппаратуры высококачественного воспроизведения звука [178]
7.6. Усилитель звуковой частоты, работающий в импульсном режиме [186]
7.7. Способы улучшения динамического диапазона [191]
7.8. Заключение [192]
8. Использование мощных полевых транзисторов в выходных каскадах вычислительных устройств [193]
8.1. Введение [193]
8.2. Основные правила управления мощными МДП-транзисторами [194]
8.3. Управление мощными МДП-транзисторами [197]
8.4. Анализ переходных процессов в цепи затвора мощного МДП-транзистора [199]
8.5. Времена переключения в случае индуктивной нагрузки [204]
8.6. Использование логических схем для управления мощными МДП-транзисторами [204]
8.6.1. Управление мощными МДП-транзисторами, включенными по схеме с общим истоком [206]
8.6.2. Управление мощными МДП-транзисторами, включенными по схеме истокового повторителя [212]
8.7. Применение мощных МДП-транзисторов в схемах, работающих на линию связи [214]
8.8. Совместная работа мощных МДП-транзисторов и микропроцессоров [217]
8.9. Заключение [217]
9. Использование мощных полевых транзисторов в качестве переключателей [218]
9.1. Введение [218]
9.2. Сравнение механических переключателей и переключателей иа полевых транзисторах [219]
9.3. Сопоставление переключателей на малосигнальном и мощном полевых транзисторах [220]
9.4. Уменьшение искажений, обусловленных модуляцией сопротивления в замкнутом состоянии [223]
9.5. Передача заряда [225]
9.6. Устранение эффекта однополупериодного выпрямления [227]
9.7. Стабилизация напряжения затвора [228]
9.8. Линеаризация сопротивления аналогового переключателя на мощном МДП-транзисторе [230]
9.9. Управление аналоговым переключателем на мощном МДП-транзисторе [232]
9.10. Переключение мощных сигналов [233]
9.11. Переключение больших уровней напряжения [235]
9.12. Использование полевого транзистора в качестве резистора, управляемого напряжением [237]
9.13. Заключение [238]
10. Использование мощных полевых транзисторов в высокочастотных схемах [238]
10.1. Введение [238]
10.2. Достоинства высокочастотного мощного полевого транзистора [240]
10.3. Высокочастотная модель [243]
10.4. Факторы, определяющие качество мощных МДП-транзисторов [247]
10.5. Порядок разработки мощных высокочастотных схем [250]
10.6. Применение мощных МДП-транзисторов в линейных усилителях [255]
10.6.1. Широкополосный видеоусилитель с повышенной линейностью [255]
10.6.2. Усилитель класса АВ мощностью 100 Вт [256]
10.6.3. Линейный усилитель мощности с повышенным КПД [258]
10.7. Увеличение КПД усилителей на МДП-транзисторах с коротким каналом [260]
10.8. Применение мощных МДП-транзисторов в усилителях с распределенным усилением [262]
10.9. Использование мощных МДП-транзисторов в качестве смесителей [264]
10.10. Защита МДП-траизисторов от электромагнитных импульсов [266]
11. Выбор полевого транзистора для различных устройств [268]
11.1. Введение [268]
11.2. Выбор полевого транзистора для работы в режиме переключения [269]
11.3. Выбор мощного полевого транзистора для управления электродвигателем [272]
11.4. Выбор полевых транзисторов для усилителей звуковой частоты [273]
11.5. Выбор мощных полевых транзисторов, совместимых с логическими схемами [274]
11.6. Выбор мощных полевых транзисторов для аналоговых переключателей [275]
11.7. Выбор высокочастотных мощных полевых транзисторов [275]
Список литературы [277]
Список работ, переведенных на русский язык [283]
Дополнительный список литературы [283]



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Мощные полевые транзисторы и их применение - Окснер Э.С. - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать djvu
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать книгу Мощные полевые транзисторы и их применение - Окснер Э.С. - depositfiles

Скачать книгу Мощные полевые транзисторы и их применение - Окснер Э.С. - letitbit




Теги: скачать учебник по электронике бесплатно :: электроника :: электротехника :: Окснер :: гридистор :: транзистор