Основы радиационной стойкости изделий электронной техники, Радиационные эффекты в изделиях электронной техники, учебное пособие, Таперо Т.И., Диденко С.И., 2013

Основы радиационной стойкости изделий электронной техники, Радиационные эффекты в изделиях электронной техники, Учебное пособие, Таперо Т.И., Диденко С.И., 2013.

Учебное пособие посвящено вопросам деградации полупроводниковых прибо­ров и интегральных схем вследствие дефектов, образующихся при воздействии космической радиации. Рассмотрены следующие вопросы: радиационные условия в космосе; влияние радиационно-индуцированных структурных повреждений на свойства полупроводников; деградация кремниевых приборов и микросхем вслед­ствие радиационных эффектов при воздействии ионизирующих излучений косми­ческого пространства; влияние радиационно-индуцированных структурных повре­ждений на деградацию изделий оптоэлектроники; особенности испытаний изделий электронной техники и радиоэлектронной аппаратуры на стойкость к воздействию ионизирующих излучений космического пространства. Предназначено для бакалавров и магистров, обучающихся по направле­нию 210100 «Электроника и наноэлектроника», а также студентов, обучаю­щихся по специальности «Микроэлектроника и твердотельная электроника». Будет полезно специалистам, работающим в области конструирования изде­лий полупроводниковой электроники и технологии их изготовления, а также обеспечения надежности и радиационной стойкости комплектующих элемен­тов и аппаратуры.




Солнечные космические лучи.
Солнечные вспышки играют важную роль в радиационной обста­новке для многих КА. Активность солнечных вспышек изменяется с периодом в 11 лет (так называемые 11-летние солнечные циклы). Большая часть солнечных вспышек имеет очень низкую интенсив­ность, однако статистические результаты за последние три солнеч­ных цикла показали, что существует высокая вероятность возникно­вения, по крайней мере, одного солнечного события в каждом цикле с относительно высокой интенсивностью. Следовательно, при опре­делении радиационных условий эксплуатации разрабатываемых КА, рассчитанных на 5-6 лет работы в более интенсивный период сол­нечной активности, обязательно должны учитываться интенсивные солнечные события. Однако требования, основанные на экстремаль­но жестком, интенсивном солнечном событии (таком как вспышка, наблюдавшаяся в октябре 1989 г. ), для большинства КА будут очень консервативными, поскольку такие интенсивные вспышки возника­ют крайне редко.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Условные обозначения.
Введение.
1.Краткое описание радиационных условий в окружающем пространстве.
2.Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками.
3.Деградация полупроводниковых приборов и микросхем вследствие радиационно-индуцированных структурных повреждений.
4.Влияние радиационно-индуцированных структурных повреждений на деградацию изделий оптоэлектроники.
5.Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики кремниевых приборов и микросхем.
6.Дозовые ионизационные эффекты в изделиях биполярной технологии.
7.Методы испытаний изделий электронной техники и радиоэлектронной аппаратуры на стойкость к воздействию ионизирующих излучений космического пространства в части дозовых эффектов.
8.Одиночные события при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства.
Заключение.
Библиографический список.

Купить .










Теги: Таперо :: Диденко :: книги по электронике :: электроника :: радиация :: физика