Основы конструирования и технологии производства радиоэлектронных средств, Ионно-плазменные технологии, Иванов В.И., 2019

Основы конструирования и технологии производства радиоэлектронных средств, Ионно-плазменные технологии, Иванов В.И., 2019.

   Серия «Университеты России» позволит высшим учебным заведениям нашей страны использовать в образовательном процессе учебники и учебные пособия по различным дисциплинам, подготовленные преподавателями лучших отечественных вузов и впервые опубликованные в издательствах университетов. Все представленные в этой серии учебники прошли экспертную оценку учебно-методического отдела издательства и публикуются в оригинальной редакции.
В книге рассматриваются технологические процессы в производстве элементов и устройств радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) — электронных приборов, полупроводниковых и гибридных микросхем, микроэлектро-механических систем, антенных устройств, функциональных и защитных покрытии и других, где в качестве основного инструмента используются ионно-плазменные потоки и пучки ускоренных ионов. Рассмотрено технологическое оборудование и оснастка, включая генерирование, ускорение и управление потоками ионов.
Учебник предназначен для студентов вузов, обучающихся по специальностям «Проектирование и технология электронных устройств», «Проектирование и технология радиоэлектронных средств» и «Электронные приборы», может быть полезным для студентов других специальностей и специалистов в области радиотехники.

Основы конструирования и технологии производства радиоэлектронных средств, Ионно-плазменные технологии, Иванов В.И., 2019


Пробег и распределение ионов в веществе.
Рассмотрим общие вопросы взаимодействия ускоренного иона налетающего на мишень (вещество).

При прохождении через вещество (твердое тело) налетающий ион взаимодействует с составными частями вещества, т.е. с атомными ядрами, атомными электронами, а также, если вещество является проводником электричества, с электронами проводимости.

Судьба налетающего иона в веществе - это история его замедления от первоначальной кинетической энергии E0 до остановки. Полное описание должно содержать: траектории иона от исходной точки до положения остановки, а также энергии в любой момент в процессе прохождения через вещество.

Предположим, что атомы в веществе расположены случайным образом (аморфное вещество). В монокристаллах прохождение иона имеет свои особенности, которые будут рассмотрены ниже.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Основы конструирования и технологии производства радиоэлектронных средств, Ионно-плазменные технологии, Иванов В.И., 2019 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу



Скачать - pdf - Яндекс.Диск.
Дата публикации:





Теги: :: :: ::


Следующие учебники и книги:
Предыдущие статьи:


 


 

Книги, учебники, обучение по разделам




Не нашёл? Найди:





2021-06-12 23:44:20