наноэлектроника

Физические основы кремниевой наноэлектроники, Зебрев Г.И., 2020.

  Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования,  а  также  тенденций  развития  современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм.
Для преподавателей и студентов, специализирующихся по направлениям микро- и наноэлектроники, электроники, электронных измерительных систем. Может быть использована в учебном процессе при подготовке учебных курсов «Физические основы наноэлектроники», «Наноэлектронные технологии», «Физика микроэлектронных структур».

Моделирование 3D наносхемотехники, Трубочкина Н.К., 2015.

   В книге представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размером 10-20 нм и сравнительный анализ четырех типов схемотехник.
Книга может быть рекомендована научным работникам, аспирантам и инженерам, специализирующимся в области разработки элементной базы суперкомпьютеров и альтернативных вычислительных систем, а также бакалаврам и магистрам, обучающимся по специальностям «Нанотехнология и микросистемная техника», «Электроника и наноэлектроника», «Вычислительные системы, комплексы и сети».

Основы наноэлектроники, Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А., 2006.
    
   Излагаются основные вопросы физики систем пониженной размерности, рассматриваются особенности энергетического спектра и переноса частиц в многослойных структурах с резкими потенциальными границами. В отличие от первого издания (2004 г., НТГУ) дополнительно освещаются вопросы энергетического спектра низкоразмерных систем с цилиндрической и сферической симметрией, вопросы влияния электрического поля на энергетический спектр квантовых точек и транспорт частиц в двухбарьерных структурах, дробного квантового эффекта Холла и особенностей поведения электронов в квазидвумерных системах.
Для студентов высших учебных заведений, получающих образование по направлению «Электроника и микроэлектроника» и специальностям «Микроэлектроника и твердотельная электроника» и «Микросистемная техника». Представляет интерес для ученых и специалистов в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, физических основ наноэлектроники.

Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники, Гаврилов С.А., Белов А.Н., 2009.

   Изложены основы электрохимических процессов, применяемых в технологии микро- и наноструктур, которые интенсивно развиваются в последнее время.
Учебное пособие содержит краткие сведения о законах и положениях теории электродного равновесия и электрохимической кинетики, описание механизмов формирования твердотельных микро- и наноструктур, сведения об особенностях получения и применения пористого кремния, описание электрохимических процессов в технологии МЭМС, процессов формирования барьерных и пористых анодных оксидов и их применения в микро- и нанотехнологии, процессов анодного окисления с помощью сканирующего зондового микроскопа, катодного осаждения металлов и полупроводников, их применения в технологии УБИС, МЭМС и нанотехнологии.
Для студентов, обучающихся по специальностям 210100 «Электроника и микроэлектроника», 010803 (014100) «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы, 210100 (550700) «Электроника и микроэлектроника (бакалавр)», а также для аспирантов, научных работников и инженеров.

Схемотехника цифровых устройств, Комбинационные и последовательностные схемы, Морозов Д.В., Пилипко М.М., Енученко М.С., 2022.

   Соответствует содержанию дисциплины «Схемотехника цифровых устройств» Федерального образовательного стандарта высшего образования по направлению подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника». Изложены основные сведения по построению цифровых схем на металл-оксид-полупроводник (МОП) транзисторах. Рассмотрены структура, принцип действия, вольт-амперные характеристики и эквивалентные схемы МОП-транзисторов. Представлены основы алгебры логики, логические элементы и комбинационные цифровые схемы: инвертор, «И-НЕ», «ИЛИ-HE», «И-ИЛИ-НЕ», «ИЛИ-И-НЕ», «исключающее ИЛИ», «исключающее ИЛИ-HE», мультиплексоры и сумматоры. Описана реализация схем с использованием транзисторов с дополнительным управлением по стоку или истоку. Приводятся последовательностные цифровые схемы - триггеры, регистры и счётчики. Использование материала учебного пособия должно исключить боль и слезы при изучении дисциплины.
Предназначено для студентов, обучающихся по направлению подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника».

Наноэлектроника, Часть 2, Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А., 2019.

   Серия «Университеты России» позволит высшим учебным заведениям нашей страны использовать в образовательном процессе учебники и учебные пособия по различным дисциплинам, подготовленные преподавателями лучших университетов России и впервые опубликованные в издательствах университетов. Все представленные в этой серии учебники прошли экспертную оценку учебно-методического отдела издательства и публикуются в оригинальной редакции.
Предлагаемое вниманию читателя учебное пособие состоит из двух частей. В пособии делается попытка систематического изложения основных свойств наноэлектронных структур. В первой части обсуждаются особенности энергетического спектра частиц в системах пониженной размерности, анализируется изменение плотности состояний и обсуждаются проблемы экранирования электрического поля в структурах пониженной размерности. Во второй части рассматриваются особенности фотонного спектра в структурах пониженной размерности, приводятся теоретические и экспериментальные результаты исследований транспортных явлений в наноэлектронных структурах, рассматриваются вопросы построения приборов на основе наноэлектронных структур.
Пособие предназначено для студентов, магистрантов и аспирантов, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Оно может быть рекомендовано тем желающим систематизировать свои знания в области физических основ наноэлектроники.

Наноэлектроника, Часть 1, Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А., 2019.

   Серия «Университеты России» позволит высшим учебным заведениям нашей страны использовать в образовательном процессе учебники и учебные пособия по различным дисциплинам, подготовленные преподавателями лучших университетов России и впервые опубликованные в издательствах университетов. Все представленные в этой серии учебники прошли экспертную оценку учебно-методического отдела издательства и публикуются в оригинальной редакции.
Предлагаемое вниманию читателя учебное пособие состоит из двух частей. В пособии делается попытка систематического изложения основных свойств наноэлектронных структур. В первой части обсуждаются особенности энергетического спектра частиц в системах пониженной размерности, анализируется изменение плотности состояний и обсуждаются проблемы экранирования электрического поля в структурах пониженной размерности. Во второй части рассматриваются особенности фотонного спектра в структурах пониженной размерности, приводятся теоретические и экспериментальные результаты исследований транспортных явлений в наноэлектронных структурах, рассматриваются вопросы построения приборов на основе наноэлектронных структур.
Пособие предназначено для студентов, магистрантов и аспирантов, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Оно может быть рекомендовано тем желающим систематизировать свои знания в области физических основ наноэлектроники.

Наноэлектроника и схемотехника, Часть 2, Трубочкина Н.К., 2019.

   В учебнике представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является нс транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов к кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размером 10-20 нм и сравнительный анализ четырех типов схемотехник. Издание представлено в двух частях. В первой части рассмотрены наносхемотехника и наноэлектроника логических схем, во второй — наносхемотехника и наноэлектроника схем памяти.
Учебник соответствует актуальным требованиям Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования.
Для студентов высших учебных заведении, обучающихся по специальностям «Нанотехнология и микросистемная техника», «Электроника и наноэлектроника», «Вычислительные системы, комплексы и сети», а также научных работников, аспирантов и инженеров, специализирующихся в области разработки элементной базы суперкомпьютере и альтернативных вычислительных систем.