Задачи по твердотельной электронике, Аркуша Ю.В., Белецкий Н.И., Прохоров Э.Д., 2004

Задачи по твердотельной электронике, Аркуша Ю.В., Белецкий Н.И., Прохоров Э.Д., 2004.

   Приведены задачи по основным разделам курсов - «Физика полупроводников», «Твердотельная электроника», «Оптоэлектроника», которые включают: химические связи в полупроводниках, статистику электронов и дырок в полупроводниках, кинетические явлений в полупроводниках, неравновесные носители заряда в полупроводниках, контактные явления, биполярные транзисторы, униполярные транзисторы, туннельные явления и приборы, пролетные явления и приборы, междолинный перенос электронов, электрон-фононное взаимодействие и акустоэлектронику, сверхрешетки, квантово-размерные эффекты и наноэлектронику, поглощение и излучение в полупроводниках и оптоэлектронику. Каждый раздел сопровождается кратким изложением теоретического материала, приводятся основные соотношения и формулы, необходимые при решении задач. В каждом из разделов даются примеры решения задач. В конце приводятся ответы решений задач по разделам.
Для студентов радиофизического факультета по специальностям “Радиофизика и электроника”, “Физическая и биомедицинская электроника”.

Задачи по твердотельной электронике, Аркуша Ю.В., Белецкий Н.И., Прохоров Э.Д., 2004


Статистика электронов и дырок в полупроводниках.
В состоянии термодинамического равновесия при заданной температуре существует определенное распределение электронов по различным квантовым состояниям. В результате в кристалле устанавливается определенная концентрация свободных электронов n в зоне проводимости и концентрация свободных дырок p в валентной зоне. Кроме того, в кристалле, содержащем локальные уровни энергий (примесные атомы и структурные дефекты), могут быть еще отрицательно заряженные акцепторы и положительно заряженные доноры, на которых в Каждой единице объема могут находиться связанные электроны и дырки.

Вычисление этих концентраций подвижных и связанных носителей заряда составляет основную задачу статистики электронов и дырок в кристаллах. Задача распадается на две части: чисто квантовомеханическую - нахождение числа возможных квантовых состояний в зонах и статистическую - определение фактического распределения электронов по этим квантовым состояниям при термодинамическом равновесии.

СОДЕРЖАНИЕ.
Предисловие.
1. Кристаллическая решетка и типы химических связей.
2. Статистика электронов и дырок в полупроводниках.
3. Кинетические явления в полупроводниках.
3.1. Электропроводность.
3.2. Гальваномагнитные явления.
3.3. Термоэлектрические явлении.
4. Неравновесные носители заряда в полупроводниках.
5. Контактные явления.
6. Биполярные приборы.
7. Униполярные приборы.
8. Туннельные явления и приборы.
9. Пролетные эффекты и приборы.
10. Междолинный перенос электронов.
11. Электрон-фононное взаимодействие, акустоэлектроника.
12. Квантово-размерные эффекты и приборы, сверхрешетки.
13. Оптические свойства полупроводников.
14. Процессы поглощения в полупроводниках и приборы на их основе.
15. Процессы излучения из полупроводников.
Источники излучения.
ОТВЕТЫ.
ПРИЛОЖЕНИЕ.
ПРИЛОЖЕНИЕ 2.
ПРИЛОЖЕНИЕ 3.
Список Литературы.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Задачи по твердотельной электронике, Аркуша Ю.В., Белецкий Н.И., Прохоров Э.Д., 2004 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать djvu
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу



Скачать - djvu - Яндекс.Диск.
Дата публикации:





Теги: :: :: :: :: ::


Следующие учебники и книги:
Предыдущие статьи:


 


 

Книги, учебники, обучение по разделам




Не нашёл? Найди:





2021-11-30 13:16:02