Обучалка в Телеграм

транзистор

Твердотельная электроника, Сычик В.А., 2021

Твердотельная электроника, Сычик В.А., 2021.

   Учебно-методическое пособие предназначено для студентов специальности 1-41 01 01 «Технология материалов и компонентов электронной техники». Главная цель учебно-методического пособия - ознакомить студентов с основами физики процессов в твердотельных электронных приборах, научить синтезировать эти устройства электроники и применять их для решения конкретных технических задач.

Твердотельная электроника, Сычик В.А., 2021
Скачать и читать Твердотельная электроника, Сычик В.А., 2021
 

Основы микроэлектроники, Степаненко И.П., 2001

Основы микроэлектроники, Степаненко И.П., 2001.

   Рассмотрены основные аспекты микроэлектроники: физические, технологические и схемотехнические. Дается представление об уровне современной микроэлектроники, ее методах, средствах, проблемах и перспективах. Обсуждаются виды интегральных схем и схемотехника цифровых и аналоговых ИС. Во 2-м издании отражены новые фундаментальные достижения в области микроэлектроники, используемые в настоящее время на практике.
Предназначается для студентов радиотехнических и радиофизических специальностей вузов. Может быть полезна широкому кругу специалистов, связанных с созданием и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры на ИС.

Основы микроэлектроники, Степаненко И.П., 2001
Скачать и читать Основы микроэлектроники, Степаненко И.П., 2001
 

Электронные приборы, Червяков Г.Г., Прохоров С.Г., Шиндор О.В., 2012

Электронные приборы, Червяков Г.Г., Прохоров С.Г., Шиндор О.В., 2012.
 
   Приведены основы физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Рассмотрены физические процессы, протекающие в полупроводниковых приборах, используемых в современной технике. Даны: классификации, параметры и характеристики существующих на рынке элементов твердотельной электроники, включая экспериментальные и опытные приборы микроволнового и оптического диапазонов на новых принципах и современных технологиях.
Описаны преобразовательные приборы, использующие различные эффекты в полупроводниковых материалах.
Приведены задания для самостоятельной работы и примеры инженерных расчетов с использованием эквивалентных электрических схем транзистора.
Учебное пособие по дисциплине «Электронные приборы» предназначено для направления подготовки 200100 Приборостроение.
Данное пособие может быть полезным для студентов всех инженерных направлений, в том числе и радиотехнического профиля, а также студентов физических факультетов.

Электронные приборы, Червяков Г.Г., Прохоров С.Г., Шиндор О.В., 2012
Скачать и читать Электронные приборы, Червяков Г.Г., Прохоров С.Г., Шиндор О.В., 2012
 

Специальные материалы и субмикронные компоненты, лабораторный практикум, Пособие, Соловьёв Я.А., Шахлевич Г.М., Петлицкий А.Н., 2022

Специальные материалы и субмикронные компоненты, Лабораторный практикум, Пособие, Соловьёв Я.А., Шахлевич Г.М., Петлицкий А.Н., 2022.

    Включает в себя лабораторные работы по исследованию дефектов кристаллического строения кремниевых подложек микросхем, топологии, элементного состава и электрофизических свойств субмикронных полупроводниковых структур, характеристик многослойных оптически прозрачных пленок на кремнии, а также моделированию и исследованию характеристик транзисторно-транзисторных логических микросхем и микросхем на КМОП-транзисторах.
Предназначено для закрепления теоретических знаний магистрантов, полученных ими на лекциях и в процессе самостоятельного изучения дисциплины, приобретения навыков исследования субмикронных кремниевых структур на современном оборудовании.

Специальные материалы и субмикронные компоненты, Лабораторный практикум, Пособие, Соловьёв Я.А., Шахлевич Г.М., Петлицкий А.Н., 2022
Скачать и читать Специальные материалы и субмикронные компоненты, лабораторный практикум, Пособие, Соловьёв Я.А., Шахлевич Г.М., Петлицкий А.Н., 2022
 

Генераторы высоких и сверхвысоких частот, Алексеев О.В., Головков А.А., Митрофанов А.В., 2003

Генераторы высоких и сверхвысоких частот, Алексеев О.В., Головков А.А., Митрофанов А.В., 2003.

   Содержит основные вопросы теории генераторов с внешним возбуждением и автогенераторов ВЧ- и СВЧ-диапозонов. Рассмотрены методы построения и особенности работы устройств генерирования и формирования радиосигналов, выполненных на электронных лампах, биполярных и полевых транзисторах, лавинно-пролетных диодах и диодах Ганна и электронных приборах с динамическим управлением.
Для студентов радиотехнических специальностей вузов.

Генераторы высоких и сверхвысоких частот, Алексеев О.В., Головков А.А., Митрофанов А.В., 2003
Скачать и читать Генераторы высоких и сверхвысоких частот, Алексеев О.В., Головков А.А., Митрофанов А.В., 2003
 

Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике, Денисенко В.В., 2010

Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике, Денисенко В.В., 2010.

   Монография содержит систематическое изложение принципов построения компактных моделей МОП-транзисторов для схемотехнического моделирования электронных цепей, в том числе СБИС. Рассмотрены проблемы моделирования, физические процессы в микро- и нанометровых МОП-транзисторах, методы формирования уравнений компактных моделей, особенности моделей BSIM, EKV, PSP, HiSIM и др., табличные модели, полунатурные модели.
Для разработчиков интегральных схем и электронной аппаратуры, разработчиков САПР СБИС, научных работников и аспирантов. Может быть полезна студентам физических специальностей университетов.

Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике, Денисенко В.В., 2010
Купить бумажную или электронную книгу и скачать и читать Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике, Денисенко В.В., 2010
 

Приборно-технологическое проектирование полевых полупроводниковых приборов, Быстрицкий А.В., Быкадорова Г.В., Пономарев К.Г., Ткачёв А.Ю., 2017

Приборно-технологическое проектирование полевых полупроводниковых приборов, Быстрицкий А.В., Быкадорова Г.В., Пономарев К.Г., Ткачёв А.Ю., 2017.

Фрагмент из книги:
В данной работе рассматриваются основные принципы моделирования n-МОП-структур и методы получения их электрофизических параметров. Длина канала n-МОП-структур варьируется от 3 мкм до 6 мкм. Проект составлен в интерактивной графической оболочке SENTAURUS Workbench (SWB) (рис. 2.1). Проект выполняет физико-технологическое моделирование в модуле SProcess, оптимизацию расчётной сетки программными средствами модуля SNMesh, получение выходных и передаточных характеристик, крутизны, пробивного напряжения, сопротивления сток-исток в открытом состоянии в линейной области и в области насыщения, расчёт и графическое представление которых осуществляется в модулях SDevice и Inspect.

Приборно-технологическое проектирование полевых полупроводниковых приборов, Быстрицкий А.В., Быкадорова Г.В., Пономарев К.Г., Ткачёв А.Ю., 2017
Скачать и читать Приборно-технологическое проектирование полевых полупроводниковых приборов, Быстрицкий А.В., Быкадорова Г.В., Пономарев К.Г., Ткачёв А.Ю., 2017
 

Полупроводниковые приборы - Транзисторы, справочник, Горюнов Н.Н.

Название: Полупроводниковые приборы - Транзисторы - Справочник.

Автор: Горюнов Н.Н.

1985.

    Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых транзисторов широкого применения. Для широкого круга специалистов по электронике, автоматике, радиотехнике, измерительной технике, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.

Полупроводниковые приборы - Транзисторы - Справочник - Горюнов Н.Н.


Скачать и читать Полупроводниковые приборы - Транзисторы, справочник, Горюнов Н.Н.
 
Показана страница 1 из 2