Твердотельная электроника, Сычик В.А., 2021.
Учебно-методическое пособие предназначено для студентов специальности 1-41 01 01 «Технология материалов и компонентов электронной техники». Главная цель учебно-методического пособия - ознакомить студентов с основами физики процессов в твердотельных электронных приборах, научить синтезировать эти устройства электроники и применять их для решения конкретных технических задач.
транзистор
Твердотельная электроника, Сычик В.А., 2021
Скачать и читать Твердотельная электроника, Сычик В.А., 2021Основы микроэлектроники, Степаненко И.П., 2001
Основы микроэлектроники, Степаненко И.П., 2001.
Рассмотрены основные аспекты микроэлектроники: физические, технологические и схемотехнические. Дается представление об уровне современной микроэлектроники, ее методах, средствах, проблемах и перспективах. Обсуждаются виды интегральных схем и схемотехника цифровых и аналоговых ИС. Во 2-м издании отражены новые фундаментальные достижения в области микроэлектроники, используемые в настоящее время на практике.
Предназначается для студентов радиотехнических и радиофизических специальностей вузов. Может быть полезна широкому кругу специалистов, связанных с созданием и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры на ИС.
Скачать и читать Основы микроэлектроники, Степаненко И.П., 2001Рассмотрены основные аспекты микроэлектроники: физические, технологические и схемотехнические. Дается представление об уровне современной микроэлектроники, ее методах, средствах, проблемах и перспективах. Обсуждаются виды интегральных схем и схемотехника цифровых и аналоговых ИС. Во 2-м издании отражены новые фундаментальные достижения в области микроэлектроники, используемые в настоящее время на практике.
Предназначается для студентов радиотехнических и радиофизических специальностей вузов. Может быть полезна широкому кругу специалистов, связанных с созданием и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры на ИС.
Электронные приборы, Червяков Г.Г., Прохоров С.Г., Шиндор О.В., 2012
Электронные приборы, Червяков Г.Г., Прохоров С.Г., Шиндор О.В., 2012.
Приведены основы физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Рассмотрены физические процессы, протекающие в полупроводниковых приборах, используемых в современной технике. Даны: классификации, параметры и характеристики существующих на рынке элементов твердотельной электроники, включая экспериментальные и опытные приборы микроволнового и оптического диапазонов на новых принципах и современных технологиях.
Описаны преобразовательные приборы, использующие различные эффекты в полупроводниковых материалах.
Приведены задания для самостоятельной работы и примеры инженерных расчетов с использованием эквивалентных электрических схем транзистора.
Учебное пособие по дисциплине «Электронные приборы» предназначено для направления подготовки 200100 Приборостроение.
Данное пособие может быть полезным для студентов всех инженерных направлений, в том числе и радиотехнического профиля, а также студентов физических факультетов.
Скачать и читать Электронные приборы, Червяков Г.Г., Прохоров С.Г., Шиндор О.В., 2012Приведены основы физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Рассмотрены физические процессы, протекающие в полупроводниковых приборах, используемых в современной технике. Даны: классификации, параметры и характеристики существующих на рынке элементов твердотельной электроники, включая экспериментальные и опытные приборы микроволнового и оптического диапазонов на новых принципах и современных технологиях.
Описаны преобразовательные приборы, использующие различные эффекты в полупроводниковых материалах.
Приведены задания для самостоятельной работы и примеры инженерных расчетов с использованием эквивалентных электрических схем транзистора.
Учебное пособие по дисциплине «Электронные приборы» предназначено для направления подготовки 200100 Приборостроение.
Данное пособие может быть полезным для студентов всех инженерных направлений, в том числе и радиотехнического профиля, а также студентов физических факультетов.
Специальные материалы и субмикронные компоненты, лабораторный практикум, Пособие, Соловьёв Я.А., Шахлевич Г.М., Петлицкий А.Н., 2022
Специальные материалы и субмикронные компоненты, Лабораторный практикум, Пособие, Соловьёв Я.А., Шахлевич Г.М., Петлицкий А.Н., 2022.
Включает в себя лабораторные работы по исследованию дефектов кристаллического строения кремниевых подложек микросхем, топологии, элементного состава и электрофизических свойств субмикронных полупроводниковых структур, характеристик многослойных оптически прозрачных пленок на кремнии, а также моделированию и исследованию характеристик транзисторно-транзисторных логических микросхем и микросхем на КМОП-транзисторах.
Предназначено для закрепления теоретических знаний магистрантов, полученных ими на лекциях и в процессе самостоятельного изучения дисциплины, приобретения навыков исследования субмикронных кремниевых структур на современном оборудовании.
Скачать и читать Специальные материалы и субмикронные компоненты, лабораторный практикум, Пособие, Соловьёв Я.А., Шахлевич Г.М., Петлицкий А.Н., 2022Включает в себя лабораторные работы по исследованию дефектов кристаллического строения кремниевых подложек микросхем, топологии, элементного состава и электрофизических свойств субмикронных полупроводниковых структур, характеристик многослойных оптически прозрачных пленок на кремнии, а также моделированию и исследованию характеристик транзисторно-транзисторных логических микросхем и микросхем на КМОП-транзисторах.
Предназначено для закрепления теоретических знаний магистрантов, полученных ими на лекциях и в процессе самостоятельного изучения дисциплины, приобретения навыков исследования субмикронных кремниевых структур на современном оборудовании.
Генераторы высоких и сверхвысоких частот, Алексеев О.В., Головков А.А., Митрофанов А.В., 2003
Генераторы высоких и сверхвысоких частот, Алексеев О.В., Головков А.А., Митрофанов А.В., 2003.
Содержит основные вопросы теории генераторов с внешним возбуждением и автогенераторов ВЧ- и СВЧ-диапозонов. Рассмотрены методы построения и особенности работы устройств генерирования и формирования радиосигналов, выполненных на электронных лампах, биполярных и полевых транзисторах, лавинно-пролетных диодах и диодах Ганна и электронных приборах с динамическим управлением.
Для студентов радиотехнических специальностей вузов.
Скачать и читать Генераторы высоких и сверхвысоких частот, Алексеев О.В., Головков А.А., Митрофанов А.В., 2003Содержит основные вопросы теории генераторов с внешним возбуждением и автогенераторов ВЧ- и СВЧ-диапозонов. Рассмотрены методы построения и особенности работы устройств генерирования и формирования радиосигналов, выполненных на электронных лампах, биполярных и полевых транзисторах, лавинно-пролетных диодах и диодах Ганна и электронных приборах с динамическим управлением.
Для студентов радиотехнических специальностей вузов.
Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике, Денисенко В.В., 2010
Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике, Денисенко В.В., 2010.
Монография содержит систематическое изложение принципов построения компактных моделей МОП-транзисторов для схемотехнического моделирования электронных цепей, в том числе СБИС. Рассмотрены проблемы моделирования, физические процессы в микро- и нанометровых МОП-транзисторах, методы формирования уравнений компактных моделей, особенности моделей BSIM, EKV, PSP, HiSIM и др., табличные модели, полунатурные модели.
Для разработчиков интегральных схем и электронной аппаратуры, разработчиков САПР СБИС, научных работников и аспирантов. Может быть полезна студентам физических специальностей университетов.
Купить бумажную или электронную книгу и скачать и читать Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике, Денисенко В.В., 2010Монография содержит систематическое изложение принципов построения компактных моделей МОП-транзисторов для схемотехнического моделирования электронных цепей, в том числе СБИС. Рассмотрены проблемы моделирования, физические процессы в микро- и нанометровых МОП-транзисторах, методы формирования уравнений компактных моделей, особенности моделей BSIM, EKV, PSP, HiSIM и др., табличные модели, полунатурные модели.
Для разработчиков интегральных схем и электронной аппаратуры, разработчиков САПР СБИС, научных работников и аспирантов. Может быть полезна студентам физических специальностей университетов.
Приборно-технологическое проектирование полевых полупроводниковых приборов, Быстрицкий А.В., Быкадорова Г.В., Пономарев К.Г., Ткачёв А.Ю., 2017
Приборно-технологическое проектирование полевых полупроводниковых приборов, Быстрицкий А.В., Быкадорова Г.В., Пономарев К.Г., Ткачёв А.Ю., 2017.
Фрагмент из книги:
В данной работе рассматриваются основные принципы моделирования n-МОП-структур и методы получения их электрофизических параметров. Длина канала n-МОП-структур варьируется от 3 мкм до 6 мкм. Проект составлен в интерактивной графической оболочке SENTAURUS Workbench (SWB) (рис. 2.1). Проект выполняет физико-технологическое моделирование в модуле SProcess, оптимизацию расчётной сетки программными средствами модуля SNMesh, получение выходных и передаточных характеристик, крутизны, пробивного напряжения, сопротивления сток-исток в открытом состоянии в линейной области и в области насыщения, расчёт и графическое представление которых осуществляется в модулях SDevice и Inspect.
Скачать и читать Приборно-технологическое проектирование полевых полупроводниковых приборов, Быстрицкий А.В., Быкадорова Г.В., Пономарев К.Г., Ткачёв А.Ю., 2017Фрагмент из книги:
В данной работе рассматриваются основные принципы моделирования n-МОП-структур и методы получения их электрофизических параметров. Длина канала n-МОП-структур варьируется от 3 мкм до 6 мкм. Проект составлен в интерактивной графической оболочке SENTAURUS Workbench (SWB) (рис. 2.1). Проект выполняет физико-технологическое моделирование в модуле SProcess, оптимизацию расчётной сетки программными средствами модуля SNMesh, получение выходных и передаточных характеристик, крутизны, пробивного напряжения, сопротивления сток-исток в открытом состоянии в линейной области и в области насыщения, расчёт и графическое представление которых осуществляется в модулях SDevice и Inspect.
Полупроводниковые приборы - Транзисторы, справочник, Горюнов Н.Н.
Название: Полупроводниковые приборы - Транзисторы - Справочник.
Автор: Горюнов Н.Н.
1985.
Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых транзисторов широкого применения. Для широкого круга специалистов по электронике, автоматике, радиотехнике, измерительной технике, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.
Скачать и читать Полупроводниковые приборы - Транзисторы, справочник, Горюнов Н.Н.Автор: Горюнов Н.Н.
1985.
Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых транзисторов широкого применения. Для широкого круга специалистов по электронике, автоматике, радиотехнике, измерительной технике, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.
Другие статьи...
транзистор
Предыдущая
Следующая
Показана страница 1 из 2